三星电子最近表示，计划批量生产首款用于旗舰智能手机的512GB嵌入式通用闪存(eUFS) 3.1。

这款新芯片显然在智能手机存储方面突破了1GB/s的性能门槛，速度是其前身512GB eUFS 3.0的三倍。

除了512 GB的选项，电子专业还将在今年某个时候推出适用于高端智能手机的128GB和256GB eUFS 3.1版本。eUFS 3.1提供超过1200mb /s的顺序写入速度，比基于sata的PC的540MB/s快两倍以上，是UHS-l microSD卡(90MB/s)速度的十倍以上。

显然，这意味着用户可以享受超薄笔记本电脑的性能，同时在手机中存储高清照片或8K视频等大文件，而无需任何缓冲。此外，将数据从旧设备传输到新设备也会快得多。

三星称，搭载eUFS 3.1的智能手机移动100gb的内容只需要1.5分钟左右。eUFS 3.0驱动的手机传输同样数量的数据需要4分钟以上。

在随机性能方面，三星512GB eUFS 3.1的处理速度比目前广泛使用的eUFS 3.0快60%。它的写IOPS约为70000，读IOPS约为100000。

三星电子存储器销售和营销执行副总裁Cheol Choi指出，随着业界最快的移动存储的推出，智能手机用户将不再担心他们面临传统存储技术的瓶颈。

Choi补充说，新的三星512GB eUFS 3.1突显了该公司继续致力于满足全球智能手机制造商快速增长的需求。

据知情人士透露，本月初，三星在西安的新工厂开始批量生产第五代V-NAND。看起来该公司的目标是在旗舰和高端智能手机业务中充分满足存储需求。

来源:https://www.businesswire.com/news/home/20200317005238/en/Samsung-Begins-Mass-Production-Fastest-Storage-Flagship